市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Dédevelopement近日發(fā)布《內(nèi)存行業(yè)年度狀況報告》顯示，2022年，DRAM、NAND閃存市場將分別增長25%、24%到1180億美元、830億美元，均創(chuàng)歷史新高。2021-2027年，獨(dú)立內(nèi)存市場預(yù)計將以8%的CAGR增長至2600多億美元。然而，季節(jié)性因素仍將存在。
據(jù)Evertiq報道，Yole存儲器高級市場與技術(shù)分析師Simone Bertolazzi博士表示，“在貿(mào)易摩擦和新冠疫情爆發(fā)的情況下，獨(dú)立內(nèi)存市場在過去兩年一直在擴(kuò)張。2020年和2021的收入分別增長了15%和32%。如此顯著的增長是大多數(shù)細(xì)分市場的生產(chǎn)受限和需求強(qiáng)勁增長共同推動的?！?/p>
2022年是NAND閃存發(fā)明35周年。自1987年以來，NAND設(shè)備的位密度和位成本一直在不斷提高。為了維持這種規(guī)模，人們正在深入研究新的技術(shù)解決方案，包括CBA體系結(jié)構(gòu)，如長江存儲的Xtacking方法。如今，所有的存儲器制造商都在使用混合鍵合設(shè)備進(jìn)行研發(fā)。鎧俠和三星等主要供應(yīng)商正在將晶圓對晶圓鍵合納入NAND路線圖。
DRAM業(yè)務(wù)上，Yole指出了當(dāng)前的共識，即平面縮放——即使通過光刻EUV工藝，也不足以在整個未來十年提供所需的位密度改善。因此，主要設(shè)備供應(yīng)商和領(lǐng)先的DRAM制造商正在考慮將單片3D DRAM（相當(dāng)于3D NAND的DRAM）作為長期擴(kuò)展的潛在解決方案。Yole的分析師認(rèn)為，這種新型3D技術(shù)可能會在2029-2030年進(jìn)入市場。
