7月26日，美光公司宣布已開始量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND，與前幾代美光 NAND 相比，它具有業(yè)界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。
按照美光介紹，這是閃存行業(yè)首次跨入兩百層。與前幾代美光 NAND 相比，新產(chǎn)品具有業(yè)界最高的面密度，可以提供更高的容量和更高的能效，從而為從客戶端到云的數(shù)據(jù)密集型用例提供一流的支持。
" 美光的 232 層 NAND 是存儲(chǔ)創(chuàng)新的分水嶺，它首次證明了在生產(chǎn)中將 3D NAND 擴(kuò)展到超過(guò) 200 層的能力，" 美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說(shuō)。" 這項(xiàng)突破性技術(shù)需要廣泛的創(chuàng)新，包括創(chuàng)建高縱橫比結(jié)構(gòu)的先進(jìn)工藝能力、新型材料的進(jìn)步以及基于我們市場(chǎng)領(lǐng)先的 176 層 NAND 技術(shù)的領(lǐng)先設(shè)計(jì)增強(qiáng)。"Scott DeBoer 進(jìn)一步指出。
美光232 層 NAND 技術(shù)提供了必要的高性能存儲(chǔ)，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和汽車應(yīng)用所需的高級(jí)解決方案和實(shí)時(shí)服務(wù)，以及在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品和 PC 上的響應(yīng)式沉浸式體驗(yàn)。該技術(shù)節(jié)點(diǎn)能夠引入業(yè)界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以滿足人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)等以數(shù)據(jù)為中心的工作負(fù)載的低延遲和高吞吐量需求，非結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)庫(kù)和實(shí)時(shí)分析以及云計(jì)算。
該速度比美光 176 層節(jié)點(diǎn)上啟用的最快接口快 50%。與上一代相比，232 層 NAND 還提供高達(dá) 100% 的更高寫入帶寬和 75% 以上的每裸片讀取帶寬。這些單芯片優(yōu)勢(shì)可轉(zhuǎn)化為 SSD 和嵌入式 NAND 解決方案的性能和能效提升。
232 層 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封裝發(fā)貨，其封裝尺寸比美光前幾代產(chǎn)品小 28%。美光 232L TLC NAND 被稱為 B58R，單 Die 容量 1Tb，可以以 16*Die 封裝實(shí)現(xiàn)單芯片封裝內(nèi) 2TB 的容量。
此外，232層NAND推出全球首款六平面TLC量產(chǎn)NAND。它在所有 TLC NAND中每個(gè)芯片的平面最多，并且每個(gè)平面都具有獨(dú)立的讀取能力。高 I/O 速度、讀寫延遲和美光的六平面架構(gòu)相結(jié)合，可在許多配置中提供一流的數(shù)據(jù)傳輸。這種結(jié)構(gòu)確保了寫入和讀取命令之間的沖突更少，并推動(dòng)了系統(tǒng)級(jí)服務(wù)質(zhì)量的改進(jìn)。
據(jù)悉，美光的 232 層 NAND 現(xiàn)已在該公司的新加坡工廠量產(chǎn)，最初將以組件形式通過(guò) Crucial 英睿達(dá) SSD 消費(fèi)產(chǎn)品線向客戶發(fā)貨。
